Referat Tranzistorul Cu Efect De Camp

Mai jos puteti citi fragmente din Referat Tranzistorul Cu Efect De Camp si de asemenea puteti face Download Referat Tranzistorul cu efect de camp

Citeste fragmente din Referat Tranzistorul Cu Efect De Camp

TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP Tranzistorul cu Efect de Camp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, in engleza MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale : Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice, Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice, Poarta => electrodul care comanda comportarea dispozitivului. INCLUDEPICTURE d "Image146.gif" Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ("+" pe poarta si "–" pe sursa pentru MOSFET cu canal N) se creaza un camp electric ca intr-un condensator plan. Campul electric creat atrage langa suprafata electroni. INCLUDEPICTURE d "Image147.gif" Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea de prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste. Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu "+" pe drena si "–" pe sursa).  UDSK unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului. Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului langa drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena. Curentul are valoarea limita: ID = (UGS –VP)2K/2 INCLUDEPICTURE d "Image148.gif" Tranzistor Caracteristici Pret BS170 UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin =<5 0,5DM IRF830 UDSmax = 500V/ IDmax = 4,5A/ Pmax =74W/ RDSmin =1,5 3DM BUK455-60 UDSmax = 60V/ IDmax = 41A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,04 3DM IRF740 UDSmax = 400V/ IDmax = 10A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,55 4DM BUZ11 UDSmax = 50V/ IDmax = 30A/ Pmax =75W/ RDSmin = 0,05 2,5DM APLICATIE  "Comutator pentru becuri cu halogen" INCLUDEPICTURE d "Image149.gif" Becul cu halogen da o lumina foarte buna cu un randament excelent. Ca orice bec cu filament in momentul conectarii absoarbe un curent de circa 10 ori mai mare decat curentul nominal, ceea ce determina scurtarea timpului de viata. Fiindca becurile cu halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru automobile, este util un circuit care sa le mareasca timpul de viata. / 0 5 7 : ; . # faptul ca daca tensiunea pe poarta creste treptat si curentul drena-sursa prin tranzistorul cu efect de camp va creste tot treptat. Timpul de crestere este stabilit de rezistenta R1 si condensatorul C :  = RC = 100 k  10  F = 1s. Dioda descarca condensatorul prin bec si TEC la intreruperea alimentarii. Fiinca rezistenta drena - sursa este 0,05 , caderea de tensiune pe tranzistor va fi : UTEC = RDS x Ibec = 0,05 x 4A=0,2V ␃愃̤摧墧+؀u a nu fi necesar radiator pentru tranzistor 쥁@